报告题目：高迁移率二维半导体BOX的可控生长与光电器件

报告人：彭海琳 教授 北京大学 化学与分子工程学院

地  点：金沙9170登录线路 化西210会议室

时  间：2017年5月4日（星期四）上午10:00

报告内容提要

高迁移率二维半导体材料是最有希望在微电子和光电子领域带来变革的材料之一。但当前发现的主要二维材料都很难同时满足适当带隙、高迁移率、高稳定性、可批量制备等关键要求。最近，我们发现了一类全新的高迁移率二维层状半导体材料BOX (Bi₂O₂X， X = S, Se, Te, …)，其中Bi₂O₂Se带隙约0.8 eV，电子有效质量约0.14 m₀；利用化学气相沉积法生长了高质量单层、双层及少层的Bi₂O₂Se二维晶体，并控制成核位点实现了二维材料晶体阵列的批量生长，还发展了二维薄膜的制备和化学刻蚀技术。此外，我们利用微纳加工技术，构筑了基于这类全新的高迁移率二维半导体材料的高性能场效应晶体管和柔性光电功能器件，并发现了典型二维特征的Shubnikov-de Haas (SdH)量子振荡行为及令人振奋的量子霍尔效应。该工作将给二维材料与器件应用带来新的机遇。